作者=陈Ziang张会长,Cai, Bengel克里斯托弗,刘冯,赵仙岳,Kvatinsky日常用品,施密特Heidemarie,是Rainer,门泽尔斯蒂芬,Du南TITLE =偷偷研究路径效应自整流横梁阵列基于新兴记忆性设备杂志=前沿电子材料体积= 2年= 2022 URL = //www.thespel.com/articles/10.3389/femat.2022.988785 DOI = 10.3389 /抽象femat.2022.988785 ISSN = 2673 - 9895 =性能和能源效率的高需求近年雷竞技rebat来给计算机系统带来了巨大的挑战。memristor-based横梁阵列架构是热情地视为一个潜在的竞争对手传统解决方案由于其低功耗,开关速度快。特别是利用自整流记忆性设备,被动横梁数组可能使高存储密度。尽管如此,由于缺少一个开关控制每个细胞,这些被动,自整流记忆性横梁数组(srMCA)遭受偷偷路径电流问题,限制了横梁的范围的准确操作数组。在这部作品中,偷偷被动srMCAs基于当前路径问题自整流双极和互补切换记忆性设备进行了比较分析。在考虑最坏的情况下,三个阅读方案调查:一个wordline引体向上(OneWLPU),所有wordline引体向上(AllWLPU)和浮动(FL)阅读计划。作为一个结论,尽管不同的动态切换,两种类型的自整流记忆性设备可以有效地抑制偷偷srMCAs当前路径。在FL阅读计划,偷偷路径电流通过相反的没有偏见srMCA记忆性细胞可以被看作是一个准确的估计的实用偷偷srMCA当前路径。srMCAs中通过分析偷偷路径电流大小64×64,这是证明了泄漏电流抑制溜路径中扮演着关键角色,通过单个细胞的展品和偷偷路径电流连续下降而累积总偷偷路径电流没有反向偏置的地区增加和扩大了横梁的大小。双相情感上的比较研究和补充记忆性设备基础srMCAs根据不同的阅读计划揭示偷偷上的开关动力学的影响路径srMCAs电流效应,并提供一个有益的参考和可行的解决方案的未来优化横梁拓扑的意图降低偷偷路径的影响。